P型半導體，也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大于自由電子濃度的雜質半導體。

特點　　半導體中有兩種載流子：導帶中的電子和價帶中的空穴。如果某一類型半導體的導電性主要依靠價帶中的空穴，則該類型的半導體就稱為P型半導體。

“P”表示正電的意思，取自英文Positive的個字母。在這類半導體中，參與導電的(即電荷載體)主要是帶正電的空穴，這些空穴來自半導體中的受主。因此凡摻有受主雜質或受主數量多于施主的半導體都是p型半導體。例如，含有適量三價元素硼、銦、鎵等的鍺或硅等半導體就是P型半導體。

由于P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子(空穴)的濃度就越高，導電性能就越強。

形成原理　　要產生較多的空穴濃度就需依賴摻雜或缺陷。在純凈的硅晶體中摻入三價元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半導體。對于Ⅳ族元素，半導體(鍺、硅等)需進行Ⅲ族元素的摻雜;對于Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體(如砷化鎵)，常用摻雜Ⅱ族元素來提供所需的空穴濃度;在離子晶體型氧化物半導體中，化學配比的微量偏移可造成大量電載荷流子，氧量偏多時形成的缺陷可提供空穴，Cu2O、NiO、VO2等均是該類型的P型半導體，且當它們在氧壓中加熱后，空穴濃度將隨之增加.上述能給半導體提供空穴的摻雜原子或缺陷，均稱受主。

led燈珠即，發光二極管是能夠立即將電轉換為光的固體半導體元件。發光二極管由GaAs（氮化鎵）、Gap（磷化鎵）、GaAsp（磷氮化鎵）等半導體材料構成的III？是IV族化學物質，其關鍵是pN接合。因此，一般的p？N結的I？具有N特性，即前向導通、反向端接、貫通特性。LED的心血管是半導體材料的芯片，芯片的一端安裝在支撐框架上，一端為負段，另一端連接到開關電源的正段，所有芯片用環氧樹脂橡膠封裝。

半導體材料芯片由三個部分組成，一部分是p型半導體，其中空穴占主導性，另一端是N型半導體，其中主要是電子器件，中間一般為1？是五個周期的量子井。當電流量響應于功率傳送線的效果而作用于該芯片時，電子元件和空穴被引導到量子井，電子元件在量子井內與空穴復合，然后運動能如光學量子那樣被傳送led燈珠，這是發光的基本原理。可見光波長即光的顏色為p？由產生N結的原材料決定。