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LED燈珠知識(shí)

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燈珠行業(yè)動(dòng)態(tài)

uvc-led和紫外線(xiàn)的區(qū)別?_led深紫外線(xiàn)燈珠

發(fā)布時(shí)間:2022-05-31 16:16:59

uvc-led和紫外線(xiàn)的區(qū)別?

1、發(fā)光介質(zhì)不同

深紫外UVC-LED消毒包的發(fā)光介質(zhì)是采用LED燈珠,而紫外線(xiàn)燈利用汞燈發(fā)出的紫外線(xiàn)來(lái)實(shí)現(xiàn)殺菌消毒功能。

2、環(huán)保性不同

紫外線(xiàn)汞燈就是水銀燈,水銀是有劇毒的,一旦汞燈破裂、水銀泄露對(duì)人體以及環(huán)境都有很?chē)?yán)重的危害,而且我國(guó)已經(jīng)簽署了《水俁公約》,從2020年以后全面禁汞,含汞類(lèi)的產(chǎn)品都不允許生產(chǎn)以及銷(xiāo)售了,這也可以看出來(lái)國(guó)家對(duì)于汞燈的態(tài)度了。而深紫外UVC-LED消毒包采用的LED燈珠具有電功耗小、啟動(dòng)快、壽命長(zhǎng)、體積小、殺菌消毒效果好等優(yōu)點(diǎn),關(guān)鍵UVC-LED在使用過(guò)程中不會(huì)產(chǎn)生二次污染、環(huán)保性能高,因此,UVC-LED正被更多的消費(fèi)者青睞,深紫外UVC-LED消毒是替代傳統(tǒng)紫外線(xiàn)汞燈不可多得的新型殺菌方式。

3、消毒殺菌所需時(shí)間不同

深紫外UVC-LED殺菌消毒包配備的大功率燈珠,在密閉的小空間中,消殺時(shí)間一般在十幾秒到三五分鐘,就可以消滅多種常見(jiàn)致病菌,再者,由于UVC-LED燈珠體積小,消毒包對(duì)于電源線(xiàn)適配性要求低,普通的充電寶就能開(kāi)啟,戶(hù)外或差旅通勤都能使用,日常便攜性高。而紫外線(xiàn)汞燈所需消殺時(shí)間一般在十幾分鐘到半個(gè)小時(shí)以上,才能達(dá)到很好的殺菌效果,但是汞燈因其高壓會(huì)產(chǎn)生臭氧、耗電量大、殺菌時(shí)間長(zhǎng)、設(shè)備笨重等原因,限制了在日常使用的范圍,也終將被歷史淘汰。

uvc-led和紫外線(xiàn)的區(qū)別?_led深紫外線(xiàn)燈珠

現(xiàn)階段使用AlGaN資料led燈珠的外部量子功率EQE一般不到10%,因此美國(guó)方面的研究人員使用納米陣列的共同構(gòu)造打破了這個(gè)功率瓶頸。

研究人員認(rèn)為,這種AlGaN陣列結(jié)構(gòu)可以通過(guò)橫向磁(TM)偏振效應(yīng)沿平面?zhèn)鬏敼猓砸种乒庾拥募ぐl(fā),從而克服了鋁占有率高AlGaN下光水平傳輸?shù)呢?fù)面影響。另一方面,根據(jù)研究人員的估計(jì),納米陣列結(jié)構(gòu)可以至少添加70%的光提取功率。

納米為了準(zhǔn)確生長(zhǎng)陣列晶體,研究人員選擇選擇性區(qū)域外延生長(zhǎng)技能。

選擇性成長(zhǎng)是基于C平面上的GaN基藍(lán)寶石襯底上的分子束外延成長(zhǎng)技能MBE成長(zhǎng)的。

金屬模具外觀(guān)氮滲透處理后,GaN納米陣列基板在995°C的環(huán)境中開(kāi)始成長(zhǎng),其上部的AlGaN在935-1025°C的環(huán)境中持續(xù)成長(zhǎng)。納米在陣列上部選擇了富鋁處理。

研究人員使用光致發(fā)光(pL)曲線(xiàn)進(jìn)行縮放,不同共享的AlGaN光譜規(guī)模為210?327nm。另一方面,對(duì)于280nm的深紫外LED,其納米陣列由厚度為300nm的n型GaN、80nm的n型Al0構(gòu)成.64Ga0。36N、未摻雜Al0.48Ga0。52N及60nm的p型Al0.64Ga0。36N。

該結(jié)構(gòu)的光致發(fā)光光譜為283nm,總線(xiàn)寬為11nm。與不同溫度的pL曲線(xiàn)相比,其內(nèi)部量子功率IQE在室溫環(huán)境下約為45%。

50 x 50μm2大小的器材的開(kāi)放電壓為4.4V,5V電流密度達(dá)到100A/Cm2。該特性遠(yuǎn)比以往的量子阱AlGaNLED高。

在波長(zhǎng)279nm的情況下,伴隨著電流的添加,存在更細(xì)微的藍(lán)移現(xiàn)象,規(guī)模從279.6nm(50A/Cm2)到278.9nm(252A/Cm2)。

與此同時(shí),估計(jì)所有輸出功率為0.93W/Cm2,電流密度達(dá)到252A/Cm2。然而,在這種條件下,光效率距離為10%的方針是有距離的。

理論上,總輸出功率可以通過(guò)優(yōu)化納米陣列的尺度和距離來(lái)增強(qiáng)光提取功率。另外,器材的功能也可以采用踏實(shí)接合等結(jié)構(gòu)來(lái)有效地提高。

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